| 仕様 | リードリレー | 機械式リレー | 半導体リレー |
| スイッチング時間 | 10 µs – 1 ms | > 5 ms | > 100 µs |
| 寿命：低レベル | 1010 サイクル | 106 サイクル | ほぼ無制限 |
| 消費電力 | 3 mW も可能 | 50 mW | 3 mV も可能 |
| スイッチング電圧 | 10 kVDC | 1.5 kVDC | 1.5 kVDC |
| スイッチング電流 / 通電電流 | 最大 3A / 最大 0.5A | 最大 40A | 最大 40A |
| 最小負荷 | 無負荷要件なし（µV/pA） | 50mW | 50mW |
| 絶縁抵抗 | 1014 Ohm | 109 Ohm | 109 Ohm |
| ノイズ | スイッチングノイズなし | スイッチングノイズなし | スイッチングノイズなし |
| 挿入損失 | 低（0.5dB） | 低（0.5dB） | 高（2dB） |
| 過負荷 | 非常に敏感 | 影響を受けにくい | |
| 一般 | DC〜GHz帯域でリニアな特性 | DC〜GHz帯域でリニアな特性 | 信号の歪み |
| 一般 | ガルバニック絶縁（エアギャップ） | ガルバニック絶縁（エアギャップ） | ガルバニック絶縁なし（低/高） |
