高絶縁抵抗リードリレーは、超低リーク電流性能を実現するよう設計されており、信号完全性および絶縁性能が重要となる精密用途に適します。特殊材料の採用、沿面距離の延長、内部構造の最適化により、最大100テラオーム（TΩ）の絶縁抵抗を実現し、条件によっては1,000 TΩに達します。これにより、リーク電流はピコアンペア領域、またはそれ以下に抑制されます。
本リレーは、最大1,000 VDCのスイッチング電圧および最大4,500 VDCの耐電圧に対応する構成で提供されます。カスタム仕様では、スイッチング電圧10,000 VDC、耐電圧15,000 VDCに対応可能です。高い絶縁性能と誘電耐力により、半導体自動検査装置（ATE）、半導体試験、精密計測システムなど、わずかなリーク電流でも測定結果に影響を与える用途に適します。
コンパクトで高信頼性の構造を備え、過酷な環境での使用を想定して設計されています。高絶縁抵抗リードリレーは、高電圧・低リーク用途において優れた性能を発揮します。
