| 仕様 | リードリレー | 機械式リレー | 半導体リレー |
| スイッチング時間 | 10 µs – 1 ms | > 5 ms | > 100 µs |
| 寿命(低レベル) | 1010 サイクル | 106 サイクル | ほぼ無制限 |
| 消費電力 | 3 mW も可能 | 50 mW | 3 mV も可能 |
| スイッチング電圧 | 10 kVDC | 1.5 kVDC | 1.5 kVDC |
| スイッチング電流 / 通電電流 | 最大 3A / 最大 0.5A | 最大 40A | 最大 40A |
| 最小負荷 | 負荷要件なし(µV/pA) | 50mW | 50mW |
| 絶縁抵抗 | 1014 Ohm | 109 Ohm | 109 Ohm |
| ノイズ | スイッチングノイズなし | スイッチングノイズなし | スイッチングノイズなし |
| 挿入損失 | 低(0.5dB) | 低(0.5dB) | 高(2dB) |
| 過負荷 | 非常に敏感 | 鈍感 | |
| 一般 | DC から GHz 帯までリニアなグラフ | DC から GHz 帯までリニアなグラフ | 信号の歪み |
| 一般 | ガルバニック絶縁(エアギャップ) | ガルバニック絶縁(エアギャップ) | ガルバニック絶縁なし(低/高) |