高絶縁抵抗リードリレーは、超低リーク電流性能を実現するよう設計されており、信号の完全性と絶縁が重要となる精密用途に最適です。特殊材料、より長い沿面距離、最適化された内部ジオメトリにより、これらのリレーは最大100テラオーム（TΩ）の絶縁抵抗レベルを達成し、場合によっては1,000 TΩにまで達することで、リーク電流をピコアンペア領域、またはそれ以下に抑えます。
これらのリレーは、最大1,000 VDCのスイッチング電圧と最大4,500 VDCの耐電圧に対応する構成で提供され、カスタムオプションではスイッチング10,000 VDC、耐電圧15,000 VDCにまで対応します。高い絶縁性と誘電強度により、自動テスト装置（ATE）、半導体テスト、精密計測システムなど、わずかなリークでも結果に影響する環境に最適です。
コンパクトで信頼性が高く、過酷な環境向けに設計された高絶縁抵抗リードリレーは、高電圧・低リーク用途で比類のない性能を提供します。
